Микросхема памяти
Micron M29F160FB55N3E2 Микросхема памяти
Micron M29F160FB55N3E2 — микросхема памяти для хранения данных и работы с памятью в цифровых устройствах.
Документы
Техническая документацияПо запросу
Поставка
Позиция поставляется со склада или под заказ в зависимости от статуса номенклатуры. Для серийных закупок, ЗИП и проектных спецификаций подготавливается коммерческое предложение.
Описание
Micron M29F160FB55N3E2 — микросхема памяти в категории "Микросхемы памяти". Компонент предназначен для цифровой логики, управления сигналами, обработки данных или интерфейсных функций. Ключевые параметры для подбора: Монтаж: Поверхностный монтаж; Функциональный класс: Non-volatile / Volatile Memory; Тип памяти: Flash Memory IC.
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Производитель | Micron |
| Маркировка | M29F160FB55N3E2 |
| Тип изделия | Микросхема памяти |
| Монтаж | Поверхностный монтаж |
| Категория | Memory ICs |
| Категория | Микросхемы памяти |
| Тип памяти | Flash Memory IC |
| Функциональный класс | Non-volatile / Volatile Memory |