Каталог 917 позиций

Транзисторы

Раздел: Электронные компоненты > Активные компоненты > Транзисторы

Diodes Inc. IGBT Infineon JFET MOSFET NXP

Найдено позиций 917

Подкатегорий 15

Навигация Фильтры и сортировка

Подкатегории

Diodes Inc. IGBT Infineon JFET MOSFET NXP Onsemi RF-транзисторы Renesas STMicroelectronics Vishay Yint Electronic onsemi Биполярные транзисторы ЗАО ''ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ”

МаркировкаNTD20N06LT4G

onsemi NTD20N06LT4G

Тип MOSFET

Производитель onsemi

Категория onsemi

Полупроводниковый ключ или усилительный прибор для силовых и сигнальных каскадов.

Цена по запросу Удалённый склад

Доступно 80 шт

Подробнее Datasheet Запросить КП

МаркировкаS9015

onsemi S9015

Тип Биполярный транзистор

Производитель onsemi

Категория onsemi

Полупроводниковый ключ или усилительный прибор для силовых и сигнальных каскадов.

Цена по запросу Удалённый склад

Доступно 979 шт

Подробнее Datasheet Запросить КП

МаркировкаSS8050CBU

onsemi SS8050CBU

Тип Биполярный транзистор

Производитель onsemi

Категория onsemi

Полупроводниковый ключ или усилительный прибор для силовых и сигнальных каскадов.

Цена по запросу Удалённый склад

Доступно 607 шт

Подробнее Datasheet Запросить КП

МаркировкаSS8550CBU

onsemi SS8550CBU Транзисторы

Тип Транзисторы

Производитель onsemi

Категория Onsemi

onsemi SS8550CBU — транзистор, серия SS8550. Тип изделия: Транзисторы. Применяется для ключевых и усилительных каскадов электронных устройств.

Цена по запросу Удалённый склад

Доступно 500 шт

Подробнее Запросить КП

Маркировка2Т841А1

ЗАО ''ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ” 2Т841А1 Транзисторы

Тип Транзисторы

Производитель ЗАО ''ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ”

Категория ЗАО ''ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ”

ЗАО ''ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ” 2Т841А1 — транзистор. Тип изделия: Транзисторы. Применяется для ключевых и усилительных каскадов электронных устройств.

Цена по запросу Удалённый склад

Доступно 272 шт

Подробнее Запросить КП

Кратко о разделе

Категория транзисторов объединяет биполярные, полевые и специальные типы для усиления и переключения сигналов. Продукция предназначена для применения в аналоговых и цифровых схемах, а также в силовой электронике.

Выбор транзистора основывается на параметрах: тип канала, максимально допустимые ток и напряжение, коэффициент усиления, частотные характеристики и тепловой режим. Для точного подбора необходимы конкретные электрические и механические характеристики.