Удалённый склад

Micron MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E Микросхема памяти DRAM / SDRAM

Micron

Micron MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E — Микросхема памяти DRAM / SDRAM для хранения данных и работы с памятью в цифровых устройствах.

Производитель: Micron
MPN: MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E
Корпус / исполнение: Требуется подтверждение
Серия
Категория: Micron
Документация: Запросить документ

Идентификация позицииMPN, производитель и исполнение

ДокументацияDatasheet и прослеживаемость — при наличии

Техническая заменаСопоставление корпуса, параметров и интерфейсов

Коммерческие условияЦена, MOQ и срок подтверждаются в КП

Описание

Micron MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E — микросхема памяти dram / sdram в категории "Микросхемы памяти". Компонент предназначен для цифровой логики, управления сигналами, обработки данных или интерфейсных функций. Ключевые параметры для подбора: Монтаж: Поверхностный монтаж; Функциональный класс: Non-volatile / Volatile Memory; Тип памяти: DRAM / SDRAM Memory IC.

Характеристики

Параметр	Значение
Производитель	Micron
Маркировка	MT29F1G08ABAEAH4-ITX: E
Тип изделия	Микросхема памяти DRAM / SDRAM
Тип изделия	Микросхема памяти
Монтаж	Поверхностный монтаж
Категория	Memory ICs
Категория	Микросхемы памяти
Тип памяти	DRAM / SDRAM Memory IC
Функциональный класс	Non-volatile / Volatile Memory