Микросхема памяти

Micron JR28F064M29EWB Микросхема памяти

Маркировка: JR28F064M29EWB Производитель: Micron Удалённый склад Категория: Micron

Micron JR28F064M29EWB — микросхема памяти для хранения данных и работы с памятью в цифровых устройствах.

Поставка B2B Оригинальные позиции Запрос КП
Производитель Micron
Маркировка JR28F064M29EWB
Раздел Micron

Документы

Техническая документацияПо запросу

Поставка

Позиция поставляется со склада или под заказ в зависимости от статуса номенклатуры. Для серийных закупок, ЗИП и проектных спецификаций подготавливается коммерческое предложение.

Описание

Micron JR28F064M29EWB — микросхема памяти в категории "Микросхемы памяти". Компонент предназначен для цифровой логики, управления сигналами, обработки данных или интерфейсных функций. Ключевые параметры для подбора: Монтаж: Поверхностный монтаж; Функциональный класс: Non-volatile / Volatile Memory; Тип памяти: Memory IC.

Характеристики

Параметр Значение
Производитель Micron
Маркировка JR28F064M29EWB
Тип изделия Микросхема памяти
Монтаж Поверхностный монтаж
Категория Memory ICs
Категория Микросхемы памяти
Тип памяти Memory IC
Функциональный класс Non-volatile / Volatile Memory

Запросить коммерческое предложение